Infineon N型沟道 增强型 汽车 MOSFET, Vds=55 V, 30 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IRFR4105ZTRPBF, HEXFET系列

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包装方式:
RS 库存编号:
827-4066
制造商零件编号:
IRFR4105ZTRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

汽车 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

30A

最大漏源电压 Vd

55V

系列

HEXFET

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

24.5mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.3V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

18nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最大功耗 Pd

120W

最高工作温度

175°C

标准/认证

Automotive (Q101)

高度

2.39mm

长度

6.73mm

宽度

6.22 mm

Distrelec Product Id

304-44-462

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

Infineon HEXFET 系列 MOSFET,30A 最大连续漏极电流,48W 最大功率耗散 - IRFR4105ZTRPBF


这款 MOSFET 专为各种电子应用中的高效率和高可靠性而设计。它是电压调节和开关的关键,以其强大的性能满足自动化、电子和电气工程领域的需求。该器件导通电阻低,能够处理较高的连续漏极电流,因此能够在苛刻的环境中使用。

特点和优势


• 最大持续泄放电流为 30 安培,确保了强大的性能

• 最大漏极-源极电压为 55V,适用于高压应用

• 24.5mΩ 的低 RDS(on)提高了能效

• 可承受高达 +175°C 的温度波动

• 增强模式技术提供可靠的开关操作

• DPAK TO-252 封装便于表面安装

应用


• 有效调节电压的电源管理系统

• 自动化领域的电机驱动器和功率转换器

• 开关电源和逆变器

• 需要高效电源控制的消费电子产品

最大栅极阈值电压是多少?


最大栅极阈值电压为 4V,可在开关应用中实现最佳栅极控制。

它能承受高温吗?


是的,这种 MOSFET 可在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内高效工作,适用于具有挑战性的环境。

这种 MOSFET 适合表面贴装吗?


是的,它采用 DPAK TO-252 封装,专为直接表面贴装集成而设计。

就功率耗散而言,它与其他 MOSFET 相比如何?


最大功率耗散能力为 48 瓦,可有效管理大量负载。

哪些类型的应用程序与该组件最兼容?


它在要求高效率的应用中特别有效,包括电机控制、电源转换器和自动化电气系统。