Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 43 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRFS3806TRLPBF, HEXFET系列

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RS 库存编号:
827-4101
制造商零件编号:
IRFS3806TRLPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

43A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

HEXFET

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

15.8mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

71W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

22nC

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.3V

最高工作温度

175°C

长度

10.67mm

高度

4.83mm

标准/认证

No

宽度

9.65 mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，43A 最大连续漏极电流，71W 最大功率耗散 - IRFS3806TRLPBF


这款 MOSFET 可在高效应用中实现最佳性能。它的增强模式配置在电源管理中举足轻重，在各种电子系统中得到广泛应用。它支持高效开关和信号放大，对自动化、电子、电气和机械行业等领域至关重要。

特点和优势


• 高达 43A 的高连续漏极电流能力

• 高效运行，最大漏极-源极电压为 60V

• 低导通电阻可减少功率损耗

• 适用于高温应用，温度范围最高可达 +175°C

• 节省空间的表面贴装设计

• 更坚固耐用，可抵御动态应力，实现稳定的性能

应用


• 适用于高速电源开关方案

• 用于不间断供电系统

• 适用于开关模式电源内的同步整流

• 适用于硬开关和高频电路

最大栅极到源极电压是多少？


该元件的最大栅极至源极电压为 -20V 至 +20V，可灵活用于各种电路设计。

导通电阻对功率耗散有何影响？


较低的导通电阻最大程度地降低了运行期间的功率耗散，从而提高了效率和散热性能。

一般需要多少入场费？


栅极-源极电压为 10V 时的典型栅极电荷为 22nC，从而实现了快速开关转换。

是否与表面贴装 PCB 设计兼容？


是的，表面贴装设计适合现代印刷电路板布局，便于集成到紧凑型电子设备中。

在高温应用中使用 MOSFET 时应考虑哪些因素？


在高温下运行时，确保实施适当的热管理，遵守 +175°C 的最高运行温度限制，以保证可靠性。