Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 8.2 A, TSOP, 表面安装, 6引脚, IRFTS8342TRPBF, HEXFET系列

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制造商零件编号:
IRFTS8342TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

8.2A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

TSOP

系列

HEXFET

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

29mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

4.8nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

2W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最高工作温度

150°C

长度

3mm

高度

1.3mm

宽度

1.75 mm

标准/认证

No

汽车标准

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。


N 通道功率 MOSFET,30V,Infineon


Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

MOSFET 晶体管,Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。