Texas Instruments N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=75 A, 8针, SON, NexFET系列
- RS 库存编号:
- 827-4883P
- 制造商零件编号:
- CSD18504Q5A
- 制造商:
- Texas Instruments
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 25 - 95 | RMB12.42 |
| 100 - 245 | RMB12.11 |
| 250 - 495 | RMB11.814 |
| 500 + | RMB11.52 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-4883P
- 制造商零件编号:
- CSD18504Q5A
- 制造商:
- Texas Instruments
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Texas Instruments | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 75A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | SON | |
| 系列 | NexFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 9.8mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 800mV | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 3.1W | |
| 最大栅源电压 Vgs | -20V, +20V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 宽度 | 5mm | |
| 长度 | 5.8mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Texas Instruments | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 75A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 SON | ||
系列 NexFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 9.8mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 800mV | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 7.7nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 3.1W | ||
最大栅源电压 Vgs -20V, +20V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.1mm | ||
宽度 5mm | ||
长度 5.8mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||