制造商编号

Texas Instruments N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=100 A, 8针, SON, NexFET系列

RS 库存编号:: 827-4892
制造商零件编号:: CSD18533Q5A
制造商:: Texas Instruments

Texas Instruments N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=100 A, 8针, SON, NexFET系列

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RS 库存编号:: 827-4892
制造商零件编号:: CSD18533Q5A
制造商:: Texas Instruments

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Texas Instruments
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	100A
	最大漏源电压 Vd	60V
	包装类型	SON
	系列	NexFET
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	8.5mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	3.2W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	14nC
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	-20V, +20V
	正向电压 Vf	0.8V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	宽度	5mm
	长度	5.8mm
	高度	1.1mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Texas Instruments
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 100A
	最大漏源电压 Vd 60V
	包装类型 SON
	系列 NexFET
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 8.5mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 3.2W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 14nC
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs -20V, +20V
	正向电压 Vf 0.8V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	宽度 5mm
	长度 5.8mm
	高度 1.1mm
	汽车标准否

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