Texas Instruments N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 273 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, CSD19506KCS, NexFET系列

小计(1 件)*

RMB37.28

(不含税)

RMB42.13

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
最后的 RS 库存
  • 最终 4 个,准备发货
单位
每单位
1 +RMB37.28

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
827-4903
制造商零件编号:
CSD19506KCS
制造商:
Texas Instruments
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Texas Instruments

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

273A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

TO-220

系列

NexFET

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

2.8mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

375W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

120nC

正向电压 Vf

0.9V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

长度

10.67mm

高度

16.51mm

标准/认证

No

汽车标准

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments


MOSFET 晶体管,Texas Instruments