Texas Instruments N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=259 A, 3针, TO-220, NexFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
827-4919
制造商零件编号:
CSD19536KCS
制造商:
Texas Instruments
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品牌

Texas Instruments

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

259A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

TO-220

系列

NexFET

安装类型

通孔, 通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

3.2mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

118nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

375W

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

正向电压 Vf

-5V

最高工作温度

175°C

晶体管配置

单

长度

10.67mm

宽度

4.7mm

标准/认证

No

高度

16.51mm

每片芯片元件数目

1

汽车标准

否

N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments


MOSFET 晶体管，Texas Instruments


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