Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=75 V, Id=30 A, 3针, TO-252, OptiMOS系列

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包装方式：
RS 库存编号:
827-5120
制造商零件编号:
IPD30N08S2L21ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

30A

最大漏源电压 Vd

75V

包装类型

TO-252

系列

OptiMOS

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

26mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

56nC

最大功耗 Pd

136W

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

0.9V

最高工作温度

175°C

高度

2.41mm

标准/认证

No

宽度

6.22mm

长度

6.73mm

汽车标准

AEC-Q101

不适用

Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列


OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

符合汽车 AEC Q101 规格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色封装（无铅）

超低 Rds(on)

MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

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