Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 40 A, TSDSON, 表面安装, 8引脚, OptiMOS 3系列
- RS 库存编号:
- 827-5249P
- 制造商零件编号:
- BSZ050N03LSGATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-5249P
- 制造商零件编号:
- BSZ050N03LSGATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 40A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | TSDSON | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.8mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 50W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 26nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 宽度 | 3.4 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 40A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 TSDSON | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.8mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 50W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 26nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3.4mm | ||
高度 1.1mm | ||
宽度 3.4 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
不适用
IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40V
OptiMOS™产品提供高效能封装，以解决最具挑战性的应用，在有限空间内提供完全的灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
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MOSFET 晶体管，Infineon
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