Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=25 V, Id=40 A, 8针, TSDSON, OptiMOS系列

RS 库存编号:: 827-5296
制造商零件编号:: BSZ060NE2LSATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=25 V, Id=40 A, 8针, TSDSON, OptiMOS系列

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RS 库存编号:: 827-5296
制造商零件编号:: BSZ060NE2LSATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	40A
	最大漏源电压 Vd	25V
	系列	OptiMOS
	包装类型	TSDSON
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	8.1mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	9.1nC
	最大功耗 Pd	26W
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	-20V, +20V
	正向电压 Vf	0.87V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	长度	3.4mm
	高度	1.1mm
	宽度	3.4mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 40A
	最大漏源电压 Vd 25V
	系列 OptiMOS
	包装类型 TSDSON
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 8.1mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 9.1nC
	最大功耗 Pd 26W
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs -20V, +20V
	正向电压 Vf 0.87V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	长度 3.4mm
	高度 1.1mm
	宽度 3.4mm
	汽车标准否

Infineon OptiMOS系列MOSFET，最大漏源电压25V，最大连续漏极电流40A - BSZ060NE2LSATMA1

该MOSFET是一款表面贴装型N沟道晶体管，专为紧凑型电子系统中的电源开关和管理而设计。它可在宽温度范围内工作，适用于需要低导通损耗和高效开关的大电流应用。该器件采用 8 针 TSDSON 封装，适用于PCB布局的高密度组装和散热布线。

特性和优点：

• 导通电阻低至8.1mΩ，降低了导通损耗
• 40A的连续漏极电流额定值支持大电流负载
• 最大功耗为 26W，具备出色的散热能力
• 典型栅极电荷为 9.1nC，可实现高效开关性能
• 正向电压为 0.87V，可最大限度减少负载条件下的压降
• 栅源电压容差高达20V，提供灵活的驱动裕量

应用

• 适用于同步降压转换器功率级应用
• 适用于高电流DCDC稳压器模块
• 与服务器和电信配电系统配合使用
• 可用于电池管理和充电电路
• 适用于电机驱动预驱动器级别应用

部署时预期的温度范围是多少？

该器件的指定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，可在温度波动较大的环境中使用。

封装对于PCB 集成有何帮助？

TSDSON外形具有低高度、表面贴装的特点，便于实现紧凑的元件布局，并能将热量直接传导至 PCB 铜层。

需要考虑哪些栅极驱动因素？

该晶体管支持高达20V的栅源电压

使用栅极驱动器时，应在保持不超过此限值的同时，提供充足的电荷以实现快速开关。

有多少个引脚可用于布局？

该器件共有八个引脚，支持漏极、源极和栅极的多重连接布线，从而优化电流路径并提升热性能。