Toshiba N沟道增强型MOS管, Vds=600 V, 20 A, TO-3PN, 通孔安装, 3引脚, TK系列
- RS 库存编号:
- 827-6163
- 制造商零件编号:
- TK20J60W,S1VQ(O
- 制造商:
- Toshiba
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB40.795 | RMB81.59 |
| 20 - 38 | RMB39.775 | RMB79.55 |
| 40 - 72 | RMB38.79 | RMB77.58 |
| 74 - 148 | RMB37.82 | RMB75.64 |
| 150 + | RMB36.875 | RMB73.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-6163
- 制造商零件编号:
- TK20J60W,S1VQ(O
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 20 A | |
| 最大漏源电压 | 600 V | |
| 系列 | TK | |
| 封装类型 | TO-3PN | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 155 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 3.7V | |
| 最大功率耗散 | 165 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 48 nC @ 10 V | |
| 长度 | 15.5mm | |
| 宽度 | 4.5mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 高度 | 20mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 20 A | ||
最大漏源电压 600 V | ||
系列 TK | ||
封装类型 TO-3PN | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 155 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 3.7V | ||
最大功率耗散 165 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 48 nC @ 10 V | ||
长度 15.5mm | ||
宽度 4.5mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
高度 20mm | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
MOSFET N 通道，TK2x 系列，Toshiba
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Toshiba