Toshiba N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 20 A, TO-3P, 通孔安装, 3引脚, TK20J60W,S1VQ(O, TK系列
- RS 库存编号:
- 827-6163
- 制造商零件编号:
- TK20J60W,S1VQ(O
- 制造商:
- Toshiba
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
¥81.59
(不含税)
¥92.196
(含税)
有库存
- 306 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | RMB40.795 | RMB81.59 |
| 20 - 38 | RMB39.775 | RMB79.55 |
| 40 - 72 | RMB38.79 | RMB77.58 |
| 74 - 148 | RMB37.82 | RMB75.64 |
| 150 + | RMB36.875 | RMB73.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 827-6163
- 制造商零件编号:
- TK20J60W,S1VQ(O
- 制造商:
- Toshiba
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Toshiba | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20A | |
| 最大漏源电压 Vd | 600V | |
| 系列 | TK | |
| 包装类型 | TO-3P | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 155mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 48nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | -1.7V | |
| 最大功耗 Pd | 165W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 15.5mm | |
| 高度 | 20mm | |
| 宽度 | 4.5 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Toshiba | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 20A | ||
最大漏源电压 Vd 600V | ||
系列 TK | ||
包装类型 TO-3P | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 155mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 48nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf -1.7V | ||
最大功耗 Pd 165W | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 15.5mm | ||
高度 20mm | ||
宽度 4.5 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP