Toshiba N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=20 A, 3针, TO-247, TK系列

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包装方式：
RS 库存编号:
827-6167P
制造商零件编号:
TK20N60W,S1VF(S
制造商:
Toshiba
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品牌

Toshiba

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

20A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

TK

包装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

155mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

-1.7V

最大栅源电压 Vgs

-30V, +30V

最大功耗 Pd

165W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

48nC

最高工作温度

150°C

宽度

5.02mm

标准/认证

No

长度

15.94mm

高度

20.95mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

MOSFET N 通道，TK2x 系列，Toshiba


MOSFET 晶体管，Toshiba


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