Toshiba N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=46 A, 3针, TO-220, TK系列

可享批量折扣
查看批量定价选项

小计(1 包,共 6 件)*

RMB66.10

(不含税)

RMB74.69

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 在 2027年2月24日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。

单位
每单位
每包*
6 - 24RMB11.017RMB66.10
30 - 54RMB10.743RMB64.46
60 - 294RMB10.475RMB62.85
300 - 594RMB10.212RMB61.27
600 +RMB9.958RMB59.75

* 参考价格

RS 库存编号:
827-6233
制造商零件编号:
TK46A08N1,S4X(S
制造商:
Toshiba
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Toshiba

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

46A

最大漏源电压 Vd

80V

系列

TK

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

8.4mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最大功耗 Pd

35W

正向电压 Vf

-1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

37nC

最高工作温度

150°C

高度

15mm

长度

10mm

标准/认证

No

宽度

4.5mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

MOSFET 晶体管,Toshiba


相关链接