STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 MDmesh K5, SuperMESH5系列, Vds=800 V, 2.5 A, IPAK (TO-251)封装, 通孔安装, 3引脚

品牌

STMicroelectronics

通道类型

N

最大连续漏极电流

2.5 A

最大漏源电压

800 V

封装类型

IPAK (TO-251)

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

3.5 Ω

通道模式

增强

最大栅阈值电压

5V

最小栅阈值电压

3V

最大功率耗散

60 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

+30 V

晶体管材料

Si

每片芯片元件数目

1

最高工作温度

+150 °C

典型栅极电荷@Vgs

9.5 nC @ 10 V

宽度

2.4mm

长度

6.6mm

高度

6.2mm

系列

MDmesh K5, SuperMESH5

最低工作温度

-55 °C