Microchip N型沟道 消耗型 MOSFET, Vds=500 V, 30 mA, TO-92, 通孔安装, 3引脚, LND150系列
- RS 库存编号:
- 829-3250P
- 制造商零件编号:
- LND150N3-G
- 制造商:
- Microchip
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- LND150N3-G
- 制造商:
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产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 500V | |
| 包装类型 | TO-92 | |
| 系列 | LND150 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1kΩ | |
| 通道模式 | 消耗 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 740mW | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 5.33mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 5.2mm | |
| 宽度 | 4.19 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 30mA | ||
最大漏源电压 Vd 500V | ||
包装类型 TO-92 | ||
系列 LND150 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1kΩ | ||
通道模式 消耗 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 740mW | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 5.33mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 5.2mm | ||
宽度 4.19 mm | ||
汽车标准 否 | ||
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
Supertex N 通道耗尽型 MOSFET 晶体管
Microchip 的 Supertex 系列 N 通道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于要求高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和切换速度快的应用。
特点
高输入阻抗
低输入电容
切换速度快
低接通电阻
无次级击穿
低输入和输出泄漏
典型应用
常开开关
固态继电器
转换器
线性放大器
恒定电流源
电源电路
电信