Microchip N沟道耗尽型MOSFET, Vds=350 V, Id=230 mA, 4针
- RS 库存编号:
- 829-3354
- 制造商零件编号:
- DN3535N8-G
- 制造商:
- Microchip
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- 制造商零件编号:
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- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 230mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 350V | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 10Ω | |
| 通道模式 | 耗尽 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20, -20V | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 2.6mm | |
| 高度 | 1.6mm | |
| 长度 | 4.6mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 230mA | ||
最大漏源电压 Vd 350V | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 10Ω | ||
通道模式 耗尽 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20, -20V | ||
晶体管配置 单 | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 2.6mm | ||
高度 1.6mm | ||
长度 4.6mm | ||
Supertex N 沟道耗尽型 MOSFET 晶体管
Microchip Supertex 系列 N 沟道耗尽型 DMOS FET 晶体管适用于需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的应用。
特性
高输入阻抗
低输入电容
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入输出漏电流
典型应用
常开开关
固态继电器
转换器
线性放大器
恒流源
电源电路
电信
MOSFET 晶体管，Microchip
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