STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=3.5 A, 3针, TO-220, MDmesh M2系列
- RS 库存编号:
- 829-4433P
- 制造商零件编号:
- STP5N60M2
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计 5 件 (按管提供)*
RMB36.50
(不含税)
RMB41.25
(含税)
正在逐步停售
- 最终 80 个，准备发货
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 5 + | RMB7.30 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 829-4433P
- 制造商零件编号:
- STP5N60M2
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | MDmesh M2 | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.4Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | -25V, +25V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| 最大功耗 Pd | 45W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 4.6mm | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 高度 | 15.75mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 3.5A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 MDmesh M2 | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.4Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs -25V, +25V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8.5nC | ||
最大功耗 Pd 45W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 4.6mm | ||
长度 10.4mm | ||
高度 15.75mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
N 通道 MDmesh™ M2 系列，STMicroelectronics
STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性，非常适合用于谐振型开关电源（LLC 转换器）。