STMicroelectronics N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 24 A, M246封装, 表面贴装, 5引脚
- RS 库存编号:
- 829-6956
- 制造商零件编号:
- LET9180
- 制造商:
- STMicroelectronics
不可供应
RS 不再对该产品备货。
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- LET9180
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 24 A | |
| 最大漏源电压 | 80 V | |
| 封装类型 | M246 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 5 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 318 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -10 V、+15 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 5.97mm | |
| 长度 | 29.08mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +200 °C | |
| 高度 | 5.08mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 24 A | ||
最大漏源电压 80 V | ||
封装类型 M246 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 5 | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 318 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -10 V、+15 V | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 5.97mm | ||
长度 29.08mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +200 °C | ||
高度 5.08mm | ||
射频 MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
射频晶体管为 LDMOS，适用于范围为 1 MHz 至 2 GHz 应用中的 L 频段卫星上行链路和 DMOS 功率晶体管。
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics