Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 5.2 A, SOT-223, 表面安装, 4引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 830-3304P
- 制造商零件编号:
- IRLL2705TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 65mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 最大功耗 Pd | 2.1W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 32nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6.7mm | |
| 宽度 | 3.7 mm | |
| 高度 | 1.739mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Distrelec Product Id | 304-44-474 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 5.2A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
包装类型 SOT-223 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 65mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
最大功耗 Pd 2.1W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 32nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6.7mm | ||
宽度 3.7 mm | ||
高度 1.739mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Distrelec Product Id 304-44-474 | ||
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，5.2A 最大连续漏极电流，2.1W 最大功率耗散 - IRLL2705TRPBF
这款高性能 MOSFET 专为各种应用中的高效电源管理而设计。它采用 N 沟道配置，具有出色的开关能力，适用于需要快速响应和尽量减少能量损耗的任务。这种元件可提高电子电路的效率和可靠性，特别是在自动化和控制系统中。
特点和优势
• 最大连续漏极电流为 5.2A
• 漏源电压额定值为 55V
• 65mΩ 的低 Rds(on)，实现高效运行
• 紧凑型 SOT-223 封装，适合节省空间的设计
应用
• 电源电路的理想选择
• 用于汽车电源管理系统
• 常用于高频电路的开关
• 可与用于可再生能源系统的电力逆变器完美结合
该元件能承受的最大电压是多少？
该产品支持 55V 的最大漏极-源极电压，可在各种应用中实现稳定的性能。
它能在高温下工作吗？
是的，它的额定最高工作温度为 +150°C ，确保了在挑战性环境中的可靠性。
该组件在运行过程中如何控制热量？
它的最大功率耗散为 2.1W，可有效管理散热性能，降低过热风险。
是否与标准 PCB 设计兼容？
该元件适用于表面贴装技术，可轻松集成到标准印刷电路板布局中。
是什么让它成为自动化项目的合适选择？
其快速开关能力和低导通电阻有助于显著节能，提高自动化系统的效率。