Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 2.8 A, SOT-223, 表面安装, 4引脚, HEXFET系列

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830-3307P
制造商零件编号:
IRLL014NTRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

2.8A

最大漏源电压 Vd

55V

包装类型

SOT-223

系列

HEXFET

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

280mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

9.5nC

正向电压 Vf

1V

最大栅源电压 Vgs

16 V

最大功耗 Pd

2.1W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

宽度

3.7 mm

高度

1.739mm

标准/认证

No

长度

6.7mm

Distrelec Product Id

304-44-472

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，2.8A 最大连续漏极电流，2.1W 最大功率耗散 - IRLL014NTRPBF


英飞凌的这款 MOSFET 属于 HEXFET 系列，专为各种电气和电子应用中的高性能而设计。作为一种在增强模式下工作的 N 沟道器件，它在电源管理方面发挥着重要作用，适用于在苛刻条件下要求高可靠性的设备。在保持紧凑设计的同时，还集成了先进的技术，可有效管理巨大的电力负荷。

特点和优势


• 最大连续耗尽电流为 2.8A，性能可靠

• 电压范围广，最高可达 55V，适用于各种应用

• 280mΩ 的低漏极-源极导通电阻最大限度地降低了功率损耗

• 热稳定性高，最高工作温度可达 +150°C

• 增强型栅极阈值电压选项可提高开关能力

• 专为表面贴装应用而设计，有助于 PCB 集成

应用


• 用于自动化系统，实现有效的电机控制

• 应用于电源电路，实现高效电压调节

• 适用于开关 在电子设备中

• 集成到电池管理系统中，优化能源使用

• 适用于 LED 驱动器，以提高控制效率

为了达到最佳性能，建议采用什么安装技术？


利用表面贴装技术可确保提高印刷电路板的散热性能和空间利用率。

设计电路时应如何考虑最大栅极源极电压？


为确保器件的完整性和性能，必须将栅源电压保持在 -16V 至 +16V 的指定范围内。

该组件能否承受运行环境中的高温？


它的额定工作温度高达 +150°C ，适合高温应用。

是否与低压电池系统兼容？


是的，它可以管理低压应用，同时提供有效的功率控制和开关效率。