Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 6.5 A, Micro6, 表面安装, 6引脚, IRLMS2002TRPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 830-3326
- 制造商零件编号:
- IRLMS2002TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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- 830-3326
- 制造商零件编号:
- IRLMS2002TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | Micro6 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 45mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | |
| 最大功耗 Pd | 2W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 1.75 mm | |
| 高度 | 1.3mm | |
| 长度 | 3mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 6.5A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 Micro6 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 45mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15nC | ||
最大栅源电压 Vgs 12 V | ||
最大功耗 Pd 2W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 1.75 mm | ||
高度 1.3mm | ||
长度 3mm | ||
汽车标准 否 | ||
豁免
- COO (Country of Origin):
- TH
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，6.5A 最大连续漏极电流，2W 最大功率耗散 - IRLMS2002TRPBF
这款 N 沟道 MOSFET 专为电池管理和负载管理应用中的高效性能而设计。它不仅能提供低导通电阻，还具有高温适应能力，有助于各种电子系统的高效运行。该产品采用最先进的加工技术，是自动化、电子和电气领域专业人士的理想之选。
特点和优势
• 表面贴装设计最大限度地减少了 PCB 空间占用
• 低导通电阻提高了能效
• 连续漏极电流能力高达 6.5A
• 支持 ±12V 栅极到源极电压，控制灵活
• 高效的散热性能可减少热量产生
应用
• 优化能量分配的电池管理
• 各种电子设备的负载管理
• 汽车 需要强大的功率处理能力
• 高效供电系统
• 用于能源监管的可再生能源系统
高温下的最大持续漏极电流是多少？
在 70°C 的温度下，可实现 5.2A 的持续漏极电流，同时在指定条件下保持稳定。
怎样的热阻才能实现有效的性能？
最大结至环境热阻为 62.5°C/W，确保在运行期间有效散热。
如何确保在安装过程中实现最佳性能？
适当的热管理和对 PCB 布局的仔细考虑对于实现最佳性能、高效散热和可靠性至关重要。
施加多大的电压才不会有击穿的危险？
最大漏极-源极电压为 20V，这是一个关键阈值，可防止在运行期间出现不必要的击穿。
是否需要考虑特定的热降额因素？
是的，线性降额系数为 0.016W/°C，表明必须根据环境温度调整功率耗散，以保持可靠性。