Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 6.5 A, Micro6, 表面安装, 6引脚, HEXFET系列

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RS Stock No.:
830-3326P
Mfr. Part No.:
IRLMS2002TRPBF
Brand:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

6.5A

最大漏源电压 Vd

20V

系列

HEXFET

包装类型

Micro6

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

45mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

15nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

2W

最大栅源电压 Vgs

12 V

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

长度

3mm

高度

1.3mm

标准/认证

No

宽度

1.75 mm

汽车标准

否

RoHS Status: Exempt

COO (Country of Origin):
TH

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，6.5A 最大连续漏极电流，2W 最大功率耗散 - IRLMS2002TRPBF


这款 N 沟道 MOSFET 专为电池管理和负载管理应用中的高效性能而设计。它不仅能提供低导通电阻，还具有高温适应能力，有助于各种电子系统的高效运行。该产品采用最先进的加工技术，是自动化、电子和电气领域专业人士的理想之选。

特点和优势


• 表面贴装设计最大限度地减少了 PCB 空间占用

• 低导通电阻提高了能效

• 连续漏极电流能力高达 6.5A

• 支持 ±12V 栅极到源极电压，控制灵活

• 高效的散热性能可减少热量产生

应用


• 优化能量分配的电池管理

• 各种电子设备的负载管理

• 汽车 需要强大的功率处理能力

• 高效供电系统

• 用于能源监管的可再生能源系统

高温下的最大持续漏极电流是多少？


在 70°C 的温度下，可实现 5.2A 的持续漏极电流，同时在指定条件下保持稳定。

怎样的热阻才能实现有效的性能？


最大结至环境热阻为 62.5°C/W，确保在运行期间有效散热。

如何确保在安装过程中实现最佳性能？


适当的热管理和对 PCB 布局的仔细考虑对于实现最佳性能、高效散热和可靠性至关重要。

施加多大的电压才不会有击穿的危险？


最大漏极-源极电压为 20V，这是一个关键阈值，可防止在运行期间出现不必要的击穿。

是否需要考虑特定的热降额因素？


是的，线性降额系数为 0.016W/°C，表明必须根据环境温度调整功率耗散，以保持可靠性。