Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 28 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IRLR2705TRPBF, HEXFET系列

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830-3348
制造商零件编号:
IRLR2705TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

28A

最大漏源电压 Vd

55V

包装类型

TO-252

系列

HEXFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

65mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

25nC

最大功耗 Pd

68W

最大栅源电压 Vgs

16 V

正向电压 Vf

1.3V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

长度

6.73mm

宽度

6.22 mm

高度

2.39mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，28A 最大连续漏极电流，68W 最大功率耗散 - IRLR2705TRPBF


这款 MOSFET 可在各种电子应用中实现出色的性能。利用 MOSFET 技术的现代进步，它在对效率和可靠性要求极高的开关应用中发挥着重要作用。其独特的功能使其成为需要大电流处理和稳健运行的自动化和电气系统的绝佳选择。

特点和优势


• 28A 的高连续漏极电流提高了性能

• 55V 的最大额定电压增强了开关能力

• 65mΩ 的低导通电阻最大限度地减少了能量损失

• 可在高达 +175°C 的温度下有效运行

• 采用 DPAK TO-252 封装，专为表面贴装而设计，效率高

• 单增强模式配置便于电路设计

应用


• 适用于工业自动化领域的电源管理

• 是电源节能开关的理想选择

• 常用于电机控制电路中

• 适用于直流-直流转换器

该元件的最大耗散功率是多少？


最大功率耗散为 68W，可在运行期间实现高效的热量管理。

工作温度范围对使用有何影响？


该设备可在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内有效工作，适合各种环境条件。

对于这种 MOSFET，有没有推荐的特定安装方法？


该设备专为使用焊接等技术进行表面安装而设计，以确保可靠的连接。

这种 MOSFET 能否与其他器件并联使用？


是的，它可以在并联配置中使用，但适当的热管理对防止过热至关重要。

建议使用哪种类型的闸门驱动装置来实现最佳性能？


建议采用逻辑级栅极驱动，以实现高效开关，确保器件在指定的阈值电平内运行。