Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 39 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IRLR2908TRPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 830-3354
- 制造商零件编号:
- IRLR2908TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IRLR2908TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 39A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 30mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 22nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16 V | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 120W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 6.22 mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 39A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 30mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 22nC | ||
最大栅源电压 Vgs 16 V | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大功耗 Pd 120W | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 6.22 mm | ||
长度 6.73mm | ||
高度 2.39mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MX
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，39A 最大连续漏极电流，120W 最大功率耗散 - IRLR2908TRPBF
这款 MOSFET 专为需要精确电流控制的各种应用（尤其是在空间受限的环境中）而设计，具有多功能性和高效率。由于采用了 HEXFET 技术，它能在高温条件下保持高效性能，因此非常适合现代电子和电气系统。它能够在极具挑战性的条件下运行，同时管理大量的功率耗散，这使其更具实用性。
特点和优势
• 连续漏极电流能力高达 39A，适用于要求苛刻的负载应用
• 最大漏极-源极电压为 80V，增强了可靠性
• 30mΩ 的低导通电阻可提高能效
• 可在高达 +175°C 的高温下运行，适用于严苛环境
• 表面安装设计便于安装和装配
• 增强模式改进了对各种电路的控制
应用
• 应用于电源电路，实现有效开关
• 适用于电机控制 需要精确的电流调节
• 用于汽车系统，实现高效电源管理
• 是高频开关电路提高效率的理想选择
• 采用工业自动化系统，性能卓越
该元件的热特性如何？
结-壳热阻约为 1.3°C/W，可在运行过程中有效散热，对保持最佳性能和可靠性至关重要。
如何确保正确安装以获得最佳性能？
重要的是要遵守适当的 PCB 设计准则，尤其要注重尽量减小电感和最大限度地增加与基板的热接触，以防止在运行过程中过热。
它能有效处理脉冲电流吗？
是的，它可以支持高达 150A 的脉冲漏极电流，从而能够在不影响器件完整性的情况下管理瞬态条件。
RDS(on) 值在运行中有什么意义？
30mΩ 的低 RDS(on) 值非常重要，因为它降低了开关过程中的功率损耗，提高了整体电路效率和性能。
栅极阈值电压对功能有何影响？
它的阈值电压介于 1V 和 2.5V 之间，可实现精确控制，适用于需要精确开关的各种电子应用。