Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 99 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 830-3372P
- 制造商零件编号:
- IRLR3636TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 99 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | DPAK (TO-252) | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 8.3 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 143 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -16 V、+16 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 6.22mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 49 nC @ 4.5 V | |
| 高度 | 2.39mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 99 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 DPAK (TO-252) | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 8.3 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.5V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 143 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -16 V、+16 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 6.73mm | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 6.22mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 49 nC @ 4.5 V | ||
高度 2.39mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，Infineon
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。