Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=30 V, 161 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IRLR7843TRPBF, HEXFET系列

RS 库存编号:: 830-3382
制造商零件编号:: IRLR7843TRPBF
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=30 V, 161 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IRLR7843TRPBF, HEXFET系列

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制造商零件编号:: IRLR7843TRPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	161A
	最大漏源电压 Vd	30V
	包装类型	TO-252
	系列	HEXFET
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	4mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	34nC
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1V
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	最大功耗 Pd	140W
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	长度	6.73mm
	高度	2.39mm
	宽度	6.22 mm
	Distrelec Product Id	304-37-849
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 161A
	最大漏源电压 Vd 30V
	包装类型 TO-252
	系列 HEXFET
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 4mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 34nC
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1V
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	最大功耗 Pd 140W
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	长度 6.73mm
	高度 2.39mm
	宽度 6.22 mm
	Distrelec Product Id 304-37-849
	汽车标准否

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，161A 最大连续漏极电流，140W 最大功率耗散 - IRLR7843TRPBF

这款 MOSFET 专为电气和电子领域的高性能应用而定制，尤其适合汽车和工业需求。其 HEXFET 技术可确保出色的效率和可靠性，是高频同步降压转换器和隔离式 DC-DC 转换器的理想之选。该器件可有效管理功率耗散，提高电子系统的性能。

特点和优势

• 极低的 RDS(on)，优化了功率损耗和效率

• 高连续漏极电流额定值支持高强度应用

• 专为确保性能而设计，工作温度高

• 无铅结构符合环保设计标准

• 低栅极电荷可改善电路的开关性能

应用

• 用于高频同步降压转换器

• 用于电信系统的隔离式直流-直流转换器

• 服务于汽车电源管理系统

• 适用于需要提高效率的工业电源

• 计算机处理器功率调节的理想选择

典型的热性能特征是什么？

最高工作温度为 +175°C ，从结点到环境的热阻为 50°C/W，确保了在热环境中的有效性能。

低 RDS(on) 对整个电路设计有何影响？

低 RDS(on) 可减少传导损耗，从而提高不同负载条件下的效率，这对高性能设计至关重要。

它能有效处理脉冲电流吗？

是的，它可以承受高达 620 A 的脉冲漏极电流，确保动态负载下的运行可靠性。

哪些安装方法与该组件兼容？

作为 DPAK 封装的表面贴装元件，它适用于自动装配流程。

是否适合用于汽车应用？

是的，它的规格，包括 30V 的最大漏源电压额定值，使其适合汽车电源系统。

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 161 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IRLR7843TRPBF, HEXFET系列