Infineon N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=75 V, 75 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRF2807ZSTRLPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 831-2806
- 制造商零件编号:
- IRF2807ZSTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 831-2806
- 制造商零件编号:
- IRF2807ZSTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 75A | |
| 最大漏源电压 Vd | 75V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 9.4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 300W | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 71nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 宽度 | 9.65 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 75A | ||
最大漏源电压 Vd 75V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 9.4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 300W | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 71nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 4.83mm | ||
宽度 9.65 mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.67mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon HEXFET 系列 MOSFET，89A 最大连续漏极电流，170W 最大功率耗散 - IRF2807ZSTRLPBF
这款 MOSFET 专为高性能开关应用而设计，可在各种电子电路中提供高效率和高可靠性。它具有低导通电阻和强散热特性，是自动化、电气和机械行业用户的必备之选，可实现有效的电源管理并减少能量损耗。
特点和优势
• 连续漏极电流高达 89A
• 最大漏极-源极电压为 75V
• 工作温度高达 +175°C ，具有热稳定性
• Rds(on) 低至 9.4 mΩ，可减少功率损耗
• 快速切换能力提高了系统响应速度
• 优化运行的增强模式装置
应用
• 用于电源电路，实现高效的能量转换
• 用于汽车和工业系统的电机控制
• 适用于直流-直流转换器和开关稳压器
• 适用于电子产品中的高频开关
• 用于各种电气系统的过载保护
该元件能承受的最大栅源电压是多少？
它可以管理 ±20V 的最大栅极源极电压，确保与各种控制信号兼容。
该组件在高温下的性能如何？
它的最高工作温度为 +175°C ，在高温环境下仍能保持稳定并发挥作用，因此非常适合此类应用。
低导通电阻功能的目的是什么？
低导通电阻最大限度地减少了热量产生，提高了运行效率，这对大电流应用非常重要。
能否同时用于表面贴装和通孔设计？
该器件专为表面贴装技术设计，采用 D2PAK 封装，优化了空间和热性能。
切换速度对系统设计有何益处？
快速开关可提高整体系统效率，并通过在电源管理解决方案中提高工作频率，实现紧凑型设计。