Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 70 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRF4905STRLPBF, HEXFET系列

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RS 库存编号:
831-2819
制造商零件编号:
IRF4905STRLPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

70A

最大漏源电压 Vd

55V

系列

HEXFET

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

20mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

120nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

170W

正向电压 Vf

-1.3V

最高工作温度

150°C

宽度

9.65 mm

长度

10.67mm

高度

4.83mm

标准/认证

No

汽车标准

否

Distrelec Product Id

304-44-444

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，70A 最大连续漏极电流，170W 最大功率耗散 - IRF4905STRLPBF


这种大电流 MOSFET 适用于自动化和电子领域的各种应用。它的最大连续漏极电流为 70A，漏极-源极电压高达 55V。其增强模式配置可满足性能要求，而低 RDS(on) 能最大限度地提高能效。这款 MOSFET 专为大功率应用而设计，具有热稳定性，适合严格的工作条件。

特点和优势


• 通过低导通电阻值提高系统效率

• 可在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内有效工作

• 支持快速切换，提高性能

• 设计坚固耐用，适用于重复雪崩条件

• 采用 D2PAK TO-263 封装，可直接进行表面贴装

应用


• 用于电源管理系统和转换器

• 适合运动控制 要求高效率

• 集成到开关电源中，提高性能

• 适用于需要可靠控制的汽车环境

• 用于需要大量功率处理的工业自动化领域

该设备的最高工作温度是多少？


该设备的最高工作温度为 +150°C ，确保了在不同环境条件下的稳定性。

低 RDS(on) 对电路设计有何益处？


低 RDS(on)最大限度地减少了传导损耗，提高了整体电路效率，使运行温度更低。

该元件能否处理脉冲电流？


是的，它能够管理高达 280 A 的脉冲漏极电流，因此适合动态应用。

选择兼容驱动电压的关键参数是什么？


栅极到源极的电压应保持在 -20 V 至 +20 V 的范围内，以确保有效运行而无损坏风险。

它适合高频开关应用吗？


该器件专为快速开关而设计，适用于电子电路中的高频操作功能。