Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 33 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRF540NSTRLPBF, HEXFET系列

RS 库存编号:: 831-2831
制造商零件编号:: IRF540NSTRLPBF
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 33 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRF540NSTRLPBF, HEXFET系列

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制造商零件编号:: IRF540NSTRLPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	33A
	最大漏源电压 Vd	100V
	系列	HEXFET
	包装类型	TO-263
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	44mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	71nC
	正向电压 Vf	1.2V
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	最大功耗 Pd	130W
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	长度	10.67mm
	高度	4.83mm
	宽度	9.65 mm
	Distrelec Product Id	304-44-447
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 33A
	最大漏源电压 Vd 100V
	系列 HEXFET
	包装类型 TO-263
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 44mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 71nC
	正向电压 Vf 1.2V
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	最大功耗 Pd 130W
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	长度 10.67mm
	高度 4.83mm
	宽度 9.65 mm
	Distrelec Product Id 304-44-447
	汽车标准否

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，33A 最大连续漏极电流，130W 最大功率耗散 - IRF540NSTRLPBF

这款大功率 MOSFET 专为提高各种应用的效率和可靠性而设计。它采用 N 沟道配置，在增强模式下工作，最大连续漏极电流为 33A，击穿电压为 100V。其表面贴装设计可轻松集成到印刷电路板中，增强了现代应用的多功能性。

特点和优势

• 44mΩ 的低 Rds(on) 值提高了电路效率

• 130 瓦的高功率耗散能力可支持稳健的应用

• 开关速度快，可最大限度地减少运行过程中的能量损耗

• 工作温度范围宽广（-55°C 至 +175°C ），适用于各种环境

• 无铅结构符合当代环保标准

应用

• 自动化系统中的电源管理

• 高效电子产品电源

• 电气工程中的电机控制

• 有效转换能源的可再生能源系统

该器件的最大栅极至源极电压是多少？

最大栅极至源极电压为 ±20V，可在典型电路中安全运行。

该设备如何处理热管理？

它的最大功率耗散为 130W，结点到外壳的热阻为 1.15°C/W，能有效管理运行期间的热量。

10V 电压下的典型栅极电荷是多少？

栅极到源极电压为 10V 时的典型栅极电荷为 71 nC，确保了开关应用中的快速响应时间。

该设备可以安装在标准印刷电路板上吗？

是的，它采用 D2PAK 封装，适用于标准 PCB 布局上的表面贴装应用。

这种 MOSFET 的增强模式有何意义？

增强模式可以更好地控制传导状态，提高开关应用的性能。

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 33 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRF540NSTRLPBF, HEXFET系列