Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=55 V, 31 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 831-2834P
- 制造商零件编号:
- IRF5305STRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 831-2834P
- 制造商零件编号:
- IRF5305STRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 31A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 60mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 110W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 63nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | -1.3V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 9.65 mm | |
| 高度 | 4.83mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 31A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 60mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 110W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 63nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf -1.3V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 9.65 mm | ||
高度 4.83mm | ||
长度 10.67mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon HEXFET 系列 MOSFET，31A 最大连续漏极电流，110W 最大功率耗散 - IRF5305STRLPBF
这款 P 沟道 MOSFET 专为高效应用而定制，具有可靠性和高性能。它采用增强模式功能，可用于各种电子电路。该产品规格坚固，是电气和机械环境中自动化和电源管理的理想选择。
特点和优势
• 最大连续漏极电流为 31A
• 最大漏极源极电压为 55V
• 表面贴装配置，实现无缝集成
• 最大功率耗散能力为 110 瓦，可实现高效运行
• 热性能更强，最高工作温度可达 +175°C
• 60mΩ 的低导通电阻可提高效率
应用
• 与电机控制器一起使用
• 适用于电源电路
• 电子开关
• 能源管理解决方案
最大栅极阈值电压是多少？
最大栅极阈值电压为 4V，为电路设计提供了足够的控制能力。
MOSFET 如何处理热量？
它的最大功率耗散为 110W，可在要求苛刻的应用中实现有效的热量管理。
该产品是否与表面贴装设计兼容？
是的，它采用 D2PAK 封装类型，专为表面贴装应用而设计。
功能的最低工作温度是多少？
该设备可在-55°C 的最低温度下有效运行，确保适用于各种环境。
导通电阻对性能有何影响？
60mΩ 的低最大漏源电阻有助于提高功率传输应用的效率和性能。