Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 33 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRF540NSTRRPBF, HEXFET系列

RS 库存编号:: 831-2840
制造商零件编号:: IRF540NSTRRPBF
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=100 V, 33 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRF540NSTRRPBF, HEXFET系列

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制造商零件编号:: IRF540NSTRRPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	33A
	最大漏源电压 Vd	100V
	系列	HEXFET
	包装类型	TO-263
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	44mΩ
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	130W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	71nC
	最大栅源电压 Vgs	20 V
	正向电压 Vf	1.2V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	高度	4.83mm
	标准/认证	No
	宽度	9.65 mm
	长度	10.67mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 33A
	最大漏源电压 Vd 100V
	系列 HEXFET
	包装类型 TO-263
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 44mΩ
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 130W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 71nC
	最大栅源电压 Vgs 20 V
	正向电压 Vf 1.2V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	高度 4.83mm
	标准/认证 No
	宽度 9.65 mm
	长度 10.67mm
	汽车标准否

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，33A 最大连续漏极电流，130W 最大功率耗散 - IRF540NSTRRPBF

这款 N 沟道功率 MOSFET 专为高效应用而设计，可在各种电子系统中提供出色的性能。它在对可靠性和低电阻要求极高的大电流环境中表现出色。它的增强功能使其在以自动化和电源管理为主的行业中特别有用。

特点和优势

• 低 RDS(on)最大限度地减少了运行过程中的功率损耗

• 33A 的连续漏极电流能力可支持各种应用

• 宽栅源电压范围提供了设计灵活性

• 可承受高达 175°C 的高温

• 快速开关提高了电路的整体效率

• D2PAK 表面贴装设计便于 PCB 集成

应用

• 用于自动化电源管理电路

• 常用于提高能效的直流-直流转换器中

• 适用于电机驱动需要大电流

• 用于工业电子产品的电源模块

• 适用于汽车热性能强劲

运行中的低 RDS(on) 有什么意义？

低 RDS（on）可减少发热，提高能效，这对于延长元件寿命和降低运营成本至关重要。

MOSFET 在较高温度下的性能如何？

它能在高达 175°C 的温度下可靠运行，确保在极端条件下的稳定性，同时满足性能需求，不会出现故障。

该设备能否处理脉冲电流，规格如何？

它支持高达 110A 的脉冲漏极电流，可有效管理短时间内的高功率，因此非常适合负载条件不稳定的应用。

指定的栅极阈值电压有何影响？

2V 至 4V 的栅极阈值电压范围显示了启动传导所需的电压，为控制电路的设计集成提供了重要信息。

D2PAK 软件包如何影响其可用性？

D2PAK 封装设计提高了散热效率，简化了表面贴装装配，因此适用于紧凑型 PCB 上的大功率应用。

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 33 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRF540NSTRRPBF, HEXFET系列