Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 18 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 831-2853P
- 制造商零件编号:
- IRF640NSTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 18A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 150mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 150W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 67nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 9.65 mm | |
| 高度 | 4.83mm | |
| Distrelec Product Id | 304-44-448 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 18A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 150mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 150W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 67nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.67mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 9.65 mm | ||
高度 4.83mm | ||
Distrelec Product Id 304-44-448 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- KR
Infineon HEXFET 系列 MOSFET，18A 最大连续漏极电流，150W 最大功率耗散 - IRF640NSTRLPBF
这种 MOSFET 对于各种应用中的高效电源管理至关重要，可控制电路中的电流，确保性能和可靠性。其坚固的规格使其特别适用于当代电子产品中的自动化和电子系统。
特点和优势
• N 沟道配置支持增强模式运行
• 最大连续漏极电流为 18A
• 200V 峰值漏极-源极电压，适用于各种应用
• D2PAK 封装专为方便表面贴装而设计
• 150mΩ 的低 Rds(on) 值减少了运行过程中的能量损耗
• 最高工作温度高达 +175°C ，适用于各种环境
应用
• 汽车电子产品的电源管理
• 用于自动化系统的工业电源
• 电机控制 不同行业
• 用于能源转换的可再生能源系统
• 高频电源逆变器设计
最大漏极-源极电压是多少？
漏极-源极最大额定电压为 200V，为高压应用提供了灵活性。
运行期间如何管理散热？
这款 MOSFET 的功率耗散能力为 150W，其封装设计可在高负载条件下有效控制热量。
栅极阈值电压范围有什么影响？
它的最大栅极阈值电压为 4V，最低为 2V，为工程师提供了开关应用的多功能范围。
该组件可用于并联配置吗？
是的，由于导通电阻低，它很容易并联，因此适用于大电流应用。
如何焊接才能达到最佳性能？
焊接温度不应超过 300°C，持续时间不应超过 10 秒，以确保正确安装而不损坏 MOSFET。