Microchip N沟道增强型MOS管, Vds=240 V, 190 mA, TO-92, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 861-0670
- 制造商零件编号:
- VN2410L-G
- 制造商:
- Microchip
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 - 240 | RMB7.66 | RMB76.60 |
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| 500 + | RMB7.205 | RMB72.05 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 861-0670
- 制造商零件编号:
- VN2410L-G
- 制造商:
- Microchip
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Microchip | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 190 mA | |
| 最大漏源电压 | 240 V | |
| 封装类型 | TO-92 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 10 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 1 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 4.19mm | |
| 长度 | 5.2mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 高度 | 5.33mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Microchip | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 190 mA | ||
最大漏源电压 240 V | ||
封装类型 TO-92 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 10 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 1 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 4.19mm | ||
长度 5.2mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
高度 5.33mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
Supertex N 通道增强型模式 MOSFET 晶体管
Microchip Supertex 系列 N 通道增强型模式（常闭）DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗，低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，Microchip