onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=265 A, 3针, TO-220, PowerTrench系列

查看所有MOSFET
暂时无法供应
我们不知道此物品是否会再来货，RS 不再对该产品备货。

替代产品

该产品我们目前不提供。 这是我们推荐的替代产品。

presentation
onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=265 A, 3针, TO-220, PowerTrench系列
RS 库存编号
759-9664

个

RMB38.20

(不含税)

RMB43.17

(含税)

RS 库存编号:
864-4718
制造商零件编号:
FDP025N06
制造商:
onsemi
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

265A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-220

系列

PowerTrench

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

2.5mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

395W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

174nC

正向电压 Vf

1.3V

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最高工作温度

175°C

宽度

4.5mm

长度

9.9mm

标准/认证

No

高度

15.7mm

汽车标准

否

PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor


Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管


Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。

相关链接