onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=80 V, 130 A, PQFN8, 贴片安装, 8引脚, PowerTrench系列
- RS 库存编号:
- 864-8483
- 制造商零件编号:
- FDMS86350
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 748 | RMB32.505 | RMB65.01 |
| 750 - 1498 | RMB31.545 | RMB63.09 |
| 1500 + | RMB30.59 | RMB61.18 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 864-8483
- 制造商零件编号:
- FDMS86350
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 130 A | |
| 最大漏源电压 | 80 V | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 封装类型 | PQFN8 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 3.8 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大功率耗散 | 156 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| 长度 | 5.1mm | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 6.25mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 130 A | ||
最大漏源电压 80 V | ||
系列 PowerTrench | ||
封装类型 PQFN8 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 3.8 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 2.5V | ||
最大功率耗散 156 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 110 nC @ 10 V | ||
长度 5.1mm | ||
晶体管材料 Si | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 6.25mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.05mm | ||
PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
Onsemi 半导体 MOSFET 晶体管
Onsemi 提供丰富的MOSFET器件产品组合，包括高电压 (>250V) 和低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。
Onsemi 的MOSFET可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。