Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=200 V, 44 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 865-5803
- 制造商零件编号:
- IRFB38N20DPBF
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- IRFB38N20DPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 44 A | |
| 最大漏源电压 | 200 V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 54 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 5V | |
| 最小栅阈值电压 | 3V | |
| 最大功率耗散 | 320 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V | |
| 长度 | 10.54mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 宽度 | 4.69mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 19.3mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 44 A | ||
最大漏源电压 200 V | ||
系列 HEXFET | ||
封装类型 TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 54 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 5V | ||
最小栅阈值电压 3V | ||
最大功率耗散 320 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -30 V、+30 V | ||
长度 10.54mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
晶体管材料 Si | ||
宽度 4.69mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 19.3mm | ||
- COO (Country of Origin):
- KR
英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，43A 最大连续漏极电流，300W 最大功率耗散 - IRFB38N20DPBF
这款 MOSFET 专为在各种应用中实现高效率和有效的热管理而设计。其稳健的增强模式 N 沟道设计可实现相当大的连续漏极电流，同时确保较低的导通电阻。该元件非常适合电源管理解决方案，可在多种电子环境中提高性能和可靠性。
特点和优势
• 支持 43A 的最大连续漏极电流
• 提供 54mΩ 的低 Rds(on)，最大限度地减少能量损失
• 可承受高达 200V 的漏极-源极电压
• 工作温度公差大，范围从 -55°C 至 +175°C
• 专为高速开关应用和低栅极电荷而设计
• 可有效集成到直流-直流转换器和电源中
应用
• 用于高频直流-直流转换器，实现高效电源管理
• 适用于 等离子显示面板中
• 应用于需要持续开关的工业自动化系统中
• 用于热效率要求极高的电源中
• 适用于需要在高温条件下实现高性能的电子设计
它在高温应用中能承受多大的电流？
它能在 100°C 温度下管理高达 30A 的连续漏极电流，确保在高温条件下保持稳定的性能。
该元件在高频应用中的性能如何？
它专为高速开关而设计，具有低栅极电荷和最小延迟时间的特点，因此非常适合此类应用。
该产品有哪些包装选项？
它采用 TO-220AB 封装，便于通孔安装，易于集成到电子电路中。
能否与其他电源管理设备一起使用？
是的，它经常与各种直流-直流转换器一起使用，以提高输电系统的效率。
安装时应采取哪些措施？
确保适当的热管理（包括散热片）到位，以在运行期间保持最佳结温。