Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=150 V, 2.6 A, SOT-223, 表面安装, 4引脚, IRFL4315TRPBF, HEXFET系列

RS 库存编号:: 865-5822
制造商零件编号:: IRFL4315TRPBF
制造商:: Infineon

Infineon N型沟道增强型 MOSFET, Vds=150 V, 2.6 A, SOT-223, 表面安装, 4引脚, IRFL4315TRPBF, HEXFET系列

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RS 库存编号:: 865-5822
制造商零件编号:: IRFL4315TRPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	2.6A
	最大漏源电压 Vd	150V
	系列	HEXFET
	包装类型	SOT-223
	安装类型	表面
	引脚数目	4
	最大漏源电阻 Rd	185mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	30 V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	12nC
	正向电压 Vf	1.5V
	最大功耗 Pd	2.8W
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	长度	6.7mm
	宽度	3.7 mm
	高度	1.8mm
	Distrelec Product Id	304-44-459
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 2.6A
	最大漏源电压 Vd 150V
	系列 HEXFET
	包装类型 SOT-223
	安装类型表面
	引脚数目 4
	最大漏源电阻 Rd 185mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 30 V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12nC
	正向电压 Vf 1.5V
	最大功耗 Pd 2.8W
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	长度 6.7mm
	宽度 3.7 mm
	高度 1.8mm
	Distrelec Product Id 304-44-459
	汽车标准否

英飞凌 HEXFET 系列 MOSFET，2.6A 最大连续漏极电流，2.8W 最大功率耗散 - IRFL4315TRPBF

这款 MOSFET 适合电源应用，在各种环境下都能提供稳定的性能和更高的可靠性。作为开关应用中的关键部件，它能有效控制电力输送。其表面贴装设计使其非常适合需要低栅极到漏极电荷的高性能电路，从而最大限度地降低开关损耗，这对自动化和电子行业的用户大有裨益。

特点和优势

• 连续漏极电流额定值为 2.6A，可满足各种应用需求

• 最大漏极-源极电压为 150V，有利于大功率运行

• 185mΩ 的低 Rds(on) 值提高了能效

• 工作温度范围为 -55°C 至 +150°C ，性能可靠

• 优化栅极阈值电压，简化电路设计

• 完全特性化的雪崩特性提供额外保护

应用

• 高频直流-直流转换器

• 提高效率的电源管理系统

• 开关电源可提高性能

Rds(on) 值偏低有何意义？

较低的 Rds（on）降低了运行过程中的功率损耗，提高了多种应用的整体效率。

宽温度范围对使用有何影响？

宽泛的工作温度范围确保了在极端条件下的可靠性能，使其适用于各种环境。

能否同时用于高频和低频应用？

是的，它既适用于高频直流-直流转换器，也适用于需要低频开关的应用。

安装时应考虑哪些因素？

在安装过程中，应考虑适当的电路布局和热管理，以优化性能。

栅极阈值电压对电路设计有何影响？

栅极阈值电压可以更好地控制开关行为，从而简化驱动电路的设计。

Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 2.6 A, SOT-223, 表面安装, 4引脚, IRFL4315TRPBF, HEXFET系列