MagnaChip N沟道增强型MOS管, Vds=400 V, 3.4 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚

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RS 库存编号:
871-6652
制造商零件编号:
MDD5N40RH
制造商:
MagnaChip
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品牌

MagnaChip

通道类型

N

最大连续漏极电流

3.4 A

最大漏源电压

400 V

封装类型

DPAK (TO-252)

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

1.6 Ω

通道模式

增强

最大栅阈值电压

5V

最大功率耗散

45 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-30 V、+30 V

宽度

6.22mm

最高工作温度

+150 °C

长度

6.73mm

典型栅极电荷@Vgs

9 nC @ 10 V

每片芯片元件数目

1

晶体管材料

Si

最低工作温度

-55 °C

高度

2.39mm

正向二极管电压

1.4V

COO (Country of Origin):
CN