Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 250 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IRFS7437TRLPBF, HEXFET系列

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RS 库存编号:
872-4206
制造商零件编号:
IRFS7437TRLPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

250A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TO-263

系列

HEXFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.8mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

150nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

230W

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

1V

最高工作温度

175°C

标准/认证

No

高度

4.83mm

宽度

9.65 mm

长度

10.67mm

汽车标准

不适用

Infineon HEXFET 系列 MOSFET,250A 最大连续漏极电流,230W 最大功率耗散 - IRFS7437TRLPBF


这款 MOSFET 适用于需要高效电源管理的高性能应用。它适用于各行各业,具有适合挑战性环境的强大功能。它能够管理高电流和高电压,因此非常适合先进技术应用。

特点和优势


• 支持最大 250A 连续漏极电流,适用于大功率应用

• 最大漏极-源极电压为 40V,确保了不同设置下的可靠性

• Rds(on) 低至 1.4mΩ,有助于减少功率损耗

• 设计用于表面安装,简化了安装过程

• 能够处理快速切换应用,从而提高效率

应用


• 适用于有刷电机驱动

• 是电池供电电路的理想选择,可实现高效用电

• 采用半桥和全桥拓扑结构进行精确控制

• 用于同步整流器 加强节能

• 适用于谐振模式电源,性能稳定

如何管理运行期间的功率耗散?


功率耗散最大额定值为 230W,确保了高负载条件下的热稳定性。

Rds(on) 值偏低有何意义?


较低的 Rds(on)值最大限度地减少了运行过程中的能量损失,提高了大电流应用的效率。

它能在高温环境中使用吗?


其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C,适用于包括高温环境在内的各种应用。

安装时有哪些注意事项?


确保按照规范进行适当的热管理,以保持高强度应用时的运行效率和可靠性。

它与各种电源设计兼容吗?


是的,MOSFET 用途广泛,可集成到众多电源设计中,为不同项目提供适应性。