IXYS N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 600 A, SMPD, 表面安装, 24引脚, MMIX1T600N04T2, GigaMOS, HiperFET系列
- RS 库存编号:
- 875-2475
- Distrelec 货号:
- 302-53-513
- 制造商零件编号:
- MMIX1T600N04T2
- 制造商:
- IXYS
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥258.51
(不含税)
¥292.12
(含税)
有库存
- 93 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 4 | RMB258.51 |
| 5 - 9 | RMB255.93 |
| 10 + | RMB243.12 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 875-2475
- Distrelec 货号:
- 302-53-513
- 制造商零件编号:
- MMIX1T600N04T2
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 600A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | SMPD | |
| 系列 | GigaMOS, HiperFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 24 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 830W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 590nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 5.7mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 25.25mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 600A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 SMPD | ||
系列 GigaMOS, HiperFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 24 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 830W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 590nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 5.7mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 25.25mm | ||
汽车标准 否 | ||
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ GigaMOS™ 系列
MOSFET 晶体管，IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备