IXYS N沟道增强型MOSFET, Vds=250 V, Id=132 A, 24针, SMPD, GigaMOS, HiperFET系列
- RS 库存编号:
- 875-2481P
- 制造商零件编号:
- MMIX1F180N25T
- 制造商:
- IXYS
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|---|---|
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- 875-2481P
- 制造商零件编号:
- MMIX1F180N25T
- 制造商:
- IXYS
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | IXYS | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 132A | |
| 最大漏源电压 Vd | 250V | |
| 系列 | GigaMOS, HiperFET | |
| 包装类型 | SMPD | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 24 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 13mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 570W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大栅源电压 Vgs | -30V, +30V | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 25.25mm | |
| 高度 | 5.7mm | |
| 宽度 | 23.25mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 IXYS | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 132A | ||
最大漏源电压 Vd 250V | ||
系列 GigaMOS, HiperFET | ||
包装类型 SMPD | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 24 | ||
最大漏源电阻 Rd 13mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 570W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大栅源电压 Vgs -30V, +30V | ||
晶体管配置 单 | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 25.25mm | ||
高度 5.7mm | ||
宽度 23.25mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
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