STMicroelectronics P沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 60 A, PowerFLAT 5 x 6, 贴片安装, 8引脚, STripFET系列
- RS 库存编号:
- 876-5689
- 制造商零件编号:
- STL60P4LLF6
- 制造商:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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- 876-5689
- 制造商零件编号:
- STL60P4LLF6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 60 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 系列 | STripFET | |
| 封装类型 | PowerFLAT 5 x 6 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 19 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 100 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 长度 | 6.35mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 34 nC @ 4.5 V | |
| 晶体管材料 | Si | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 5.4mm | |
| 正向二极管电压 | 1.1V | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 60 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
系列 STripFET | ||
封装类型 PowerFLAT 5 x 6 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 19 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 100 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -20 V、+20 V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
长度 6.35mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 34 nC @ 4.5 V | ||
晶体管材料 Si | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 5.4mm | ||
正向二极管电压 1.1V | ||
高度 0.95mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics