STMicroelectronics P型沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=10 A, 8针, SOIC, STripFET系列

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RS 库存编号:
876-5711
制造商零件编号:
STS10P4LLF6
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

10A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

SOIC

系列

STripFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

20mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

-1.1V

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

2.7W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

34nC

最高工作温度

150°C

宽度

4mm

标准/认证

No

长度

5mm

高度

1.5mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics


STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。

MOSFET 晶体管，STMicroelectronics


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