STMicroelectronics P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 10 A, SOIC, 表面安装, 8引脚, STS10P4LLF6, STripFET系列
- RS 库存编号:
- 876-5711
- 制造商零件编号:
- STS10P4LLF6
- 制造商:
- STMicroelectronics
小计（1 包，共 10 件）*
RMB85.73
(不含税)
RMB96.87
(含税)
有库存
- 另外 4,860 件在 2026年5月25日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 10 + | RMB8.573 | RMB85.73 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 876-5711
- 制造商零件编号:
- STS10P4LLF6
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 10A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | SOIC | |
| 系列 | STripFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 20mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | -1.1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 34nC | |
| 最大功耗 Pd | 2.7W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.5mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 10A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 SOIC | ||
系列 STripFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 20mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf -1.1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 34nC | ||
最大功耗 Pd 2.7W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 5mm | ||
高度 1.5mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。