STMicroelectronics P沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 10 A, SOIC, 贴片安装, 8引脚, STripFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
876-5711P
制造商零件编号:
STS10P4LLF6
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

通道类型

P

最大连续漏极电流

10 A

最大漏源电压

40 V

系列

STripFET

封装类型

SOIC

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

20 MΩ

通道模式

增强

最小栅阈值电压

1V

最大功率耗散

2.7 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-20 V、+20 V

典型栅极电荷@Vgs

34 nC @ 4.5 V

最高工作温度

+150 °C

宽度

4mm

晶体管材料

Si

每片芯片元件数目

1

长度

5mm

高度

1.5mm

正向二极管电压

1.1V

COO (Country of Origin):
CN

P 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics


STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。



MOSFET 晶体管，STMicroelectronics