Infineon N沟道增强型功率 MOSFET, Vds=75 V, Id=355 A, 3针, TO-247, HEXFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
879-3325
制造商零件编号:
IRFP7718PBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

功率 MOSFET

最大连续漏极电流 Id

355A

最大漏源电压 Vd

75V

包装类型

TO-247

系列

HEXFET

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.8mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

552nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

517W

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

1.3V

最高工作温度

175°C

长度

15.87mm

高度

20.7mm

宽度

5.31mm

标准/认证

Lead-Free, RoHS

汽车标准

否

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，Infineon


Infineon 分立式 HEXFET® 功率 MOSFET 产品系列包含采用表面贴装和引线封装的 N 沟道器件。其外形规格可应对几乎任何电路板布局与散热设计挑战。全系列产品以业界领先的导通电阻降低传导损耗，助力设计人员实现最优系统能效。

MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

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