Toshiba N沟道增强型MOS管 TK系列, Vds=600 V, 9.7 A, TO-220SIS封装, 通孔安装, 3引脚

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RS 库存编号:
891-2869
制造商零件编号:
TK10A60W,S5VX(J
制造商:
Toshiba
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品牌

Toshiba

通道类型

N

最大连续漏极电流

9.7 A

最大漏源电压

600 V

封装类型

TO-220SIS

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

380 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

3.7V

最大功率耗散

30 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-30 V、+30 V

最高工作温度

+150 °C

典型栅极电荷@Vgs

20 nC @ 10 V

晶体管材料

Si

宽度

4.5mm

长度

10mm

每片芯片元件数目

1

系列

TK

高度

15mm

正向二极管电压

1.7V

COO (Country of Origin):
MY


MOSFET 晶体管，Toshiba