Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 45 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IPA086N10N3GXKSA1, OptiMOS 3系列
- RS 库存编号:
- 892-2125
- 制造商零件编号:
- IPA086N10N3GXKSA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 892-2125
- 制造商零件编号:
- IPA086N10N3GXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 45A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 系列 | OptiMOS 3 | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 15.4mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 42nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 37.5W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.85 mm | |
| 长度 | 10.65mm | |
| 高度 | 16.15mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 45A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
系列 OptiMOS 3 | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 15.4mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 42nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 37.5W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.85 mm | ||
长度 10.65mm | ||
高度 16.15mm | ||
汽车标准 否 | ||
英飞凌 OptiMOS™ 3 系列 MOSFET,45A 最大连续漏极电流,37.5W 最大功率耗散 - IPA086N10N3GXKSA1
这款 MOSFET 专为自动化、电子和电气工程领域的高性能应用而设计。作为功率晶体管,它能提供出色的效率和可靠性,从而加强电源管理。其设计经久耐用,支持高频开关,适用于对性能要求较高的环境。
特点和优势
• N 沟道配置优化了电流管理
• 低导通电阻可提高系统整体效率
• 工作温度高达 +175°C ,适用于各种应用
• 完全隔离的封装提高了运行时的安全性
• 符合 RoHS 和无卤素标准,实现环保使用
应用
• 电子设备高频开关的理想选择
• 用于同步整流,以最大限度地提高效率
• 适用于 需要处理大电流
• 具有强大的散热性能,可在温度敏感环境中有效使用
该设备的低导通电阻功能有何意义?
低导通电阻特性可降低运行期间的功率损耗,从而提高电源管理电路的效率。这样可以减少发热,提高整体性能。
这种 MOSFET 能否用于汽车应用?
是的,它适用于汽车应用,因为它能满足高温性能要求,并在不同负载条件下提供可靠的运行。
栅极阈值电压如何影响电路功能?
栅极阈值电压决定 MOSFET 何时开始导通。在这种情况下,它的电压范围为 2V 至 3.5V,确保只有在合适的电压水平下才能激活,从而保护其他元件。
什么样的电路最适合这种功率晶体管?
这款功率晶体管与高频开关电路和同步整流应用兼容,为各种电子设计提供了多功能性。
如何安装 MOSFET 才能达到最佳性能?
MOSFET 应使用通孔方法安装,以确保安全连接,并根据其热阻规格有效散热。
