Infineon N沟道增强型MOS管 CoolMOS C3系列, Vds=800 V, 4 A, TO-220FP封装, 通孔安装, 3引脚

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包装方式：
RS 库存编号:
892-2150
制造商零件编号:
SPA04N80C3XKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

通道类型

N

最大连续漏极电流

4 A

最大漏源电压

800 V

封装类型

TO-220FP

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻值

1.3 Ω

通道模式

增强

最大栅阈值电压

3.9V

最小栅阈值电压

2.1V

最大功率耗散

38 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

-30 V、+30 V

长度

10.65mm

最高工作温度

+150 °C

每片芯片元件数目

1

宽度

4.85mm

典型栅极电荷@Vgs

23 nC @ 10 V

晶体管材料

Si

高度

16.15mm

正向二极管电压

1.2V

系列

CoolMOS C3

最低工作温度

-55 °C

Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET



MOSFET 晶体管，Infineon


Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。