Infineon P型沟道增强型MOSFET, 2个元件/芯片, Vds=30 V, Id=2 A, 6针, TSOP, OptiMOS P系列

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包装方式:
RS 库存编号:
892-2172P
制造商零件编号:
BSL308PEH6327XTSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

2A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

OptiMOS P

包装类型

TSOP

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

130mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

-20V, +20V

正向电压 Vf

-0.8V

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

500mW

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

-5nC

晶体管配置

隔离式

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

1.6mm

高度

1mm

长度

2.9mm

每片芯片元件数目

2

汽车标准

AEC-Q101

Infineon OptiMOS P系列MOSFET,30V漏源电压,2A最大连续漏极电流 - BSL308PEH6327XTSA1


该MOSFET是一款P‑沟道增强型晶体管,适用于汽车和工业电子领域的表面‑贴装应用。它提供开关‑器件功能,适用于高‑温环境,采用紧凑的TSOP 6‑引脚封装,在单芯片上集成双元件,适合空间‑受限的电路组装。

特性和优点:


• 导通电阻‑低至130mΩ,可降低导通损耗
• 额定漏源‑电压为 30V,支持30V系统使用
• 持续漏极电流能力为2A,可支持中等负载
• Vgs条件下的典型栅极电荷为-5nC,可实现更快的开关响应
• 功耗为 500mW,确保可靠的热处理
• 符合AEC‑Q101汽车应力性能标准

应用


• 适用于高‑温汽车电源开关
• 适用于电池管理系统的负载‑切换
• 与DC‑DC转换器配合使用,此类转换器需要P沟道器件
• 可用于双‑通道极性保护电路
• 适用于紧凑型表面‑贴装配电板

为确保安全运行,我应遵守哪些栅极电压限制?


栅极‑到源极‑电压在任何极性下均不得超过20V,以避免器件受损。

该芯片包含多少个晶体管?这有助于实现哪些功能?


每个芯片包含两个P‑沟道元件,可实现配对开关或简化的双‑通道布局。

该设备在运行期间可承受的环境温度范围是多少?


它可在-55°C至150°C的温度范围内工作,支持结温较高的应用。

该封装对于电路板布局与布线有何影响?


TSOP 6‑引脚表面贴装封装最大限度减少了电路板占用空间,并简化了紧凑设计的热管理和信号布线。

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