Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 60 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, IPA057N06N3GXKSA1, OptiMOS 3系列

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包装方式:
RS 库存编号:
892-2220
制造商零件编号:
IPA057N06N3GXKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

60A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

TO-220

系列

OptiMOS 3

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

5.7mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

61nC

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

38W

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

高度

16.15mm

长度

10.65mm

宽度

4.85 mm

标准/认证

No

Distrelec Product Id

304-44-432

汽车标准

英飞凌 OptiMOS™ 3 系列 MOSFET,60A 最大连续漏极电流,38W 最大功率耗散 - IPA057N06N3GXKSA1


这种 MOSFET 适合自动化、电子和电气系统中的各种高性能应用。它能够处理 60A 的最大连续漏极电流和 60V 的漏极-源极电压,在高效电源管理和控制方面发挥着至关重要的作用。坚固的设计可确保在不同条件下稳定运行。

特点和优势


• N 沟道配置可提供有效的开关性能

• 增强模式运行可提高应用效率

• 5.7mΩ 的低 RDS(导通)值可减少功率损耗

• 最大功率耗散为 38 瓦,支持高输出

• 工作温度范围为 -55°C 至 +175°C ,适用于各种环境

• 4V 的高栅极阈值电压确保了精确控制和响应速度

应用


• 适用于工业自动化的电机控制

• 适用于电子产品中的电源模块

• 常用于可再生能源系统的逆变器电路中

• 受雇于汽车行业 实现有效的电源管理

• 电信领域开关电源的理想选择

最大功率耗散能力是多少?


它的最大功率耗散为 38W,可确保安全运行。

它能在哪个温度范围内有效工作?


该元件可在 -55°C 至 +175°C 温度范围内可靠运行,因此可用于各种应用。

RDS(on) 值偏低有何意义?


5.7mΩ 的低 RDS(on)值最大限度地减少了运行过程中的功率损耗,提高了效率。

增强模式如何提高性能?


增强模式可提高控制和效率,尤其是在需要精确开关的应用中。